mos医学代表什么意思(医学mosd是什么)
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本文目录:
一、mos管符号
mos管符号为mos管电路符号,MOS管的电路符号会有多种变化,电路中最常见的设计是以一条直线代表通道,两条和通道垂直的线代表源极与
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)
MOS管是可以控制电压的元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(漏极)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
二、场效应和MOS管有什么区别呢?
一、主体不同
1、场效应:V型槽MOS
三、规则不同
1、场效应:将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
2、MOS管:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。
参考资料来源:百度百科-场效应管
参考资料来源:百度百科-MOSFET
三、MOS管的各项参数表示什么意思?
在MOS管的参数中有许多的英文符号单位,刚接触的人可能一下区分不出这些符号代表什么意思,这里具体解释一下各参数的含义。
Vds
也就是电压,这是MOS管极限参数表示MOS管漏极与源极之间的最大电压值。值得注意的是,该参数与结温有关,通常结温越高,该值最大。
Rds(on)
漏源导电阻,表示MOS管在一定条件下导通时,泄漏极之间的导通电阻。这个参数和MOS管结温,驱动电压Vgs相关。在一定范围内,结温越高,Rds驱动电压越高,Rds越小。
Id
漏极电流通常有几种不同的描述方法。根据工作电流的形式,连续泄漏电流和一定脉宽的脉冲泄漏电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOS管一个极限参数,但这个最大电流值并不意味着泄漏电流可以在运行过程中达到这个值。这意味着当壳体温度在一定值时,如果MOS管如果工作电流为上述最大泄漏电流,结温将达到最大值。因此,该参数还与设备包装和环境温度有关。
Vgs
这也是栅源最大的驱动电压MOS管极限参数表示MOS管一旦驱动电压超过这个极限值,即使在很短的时间内,也会对栅极氧化层造成永久性伤。一般来说,只要驱动电压不超过极限,就不会有问题。然而,在某些特殊情况下,由于寄生参数的存在,它将是正确的Vgs需要特别注意电压的不可预测影响
Idm
最大脉冲DS电流.它会随着温度的升高而降低,反映抗冲击性,这也与脉冲时间有关
Pd
最大耗散功率
Tj
最大工作温度通常为150度和175度
Tstg
最大存储温度
Iar
雪崩电流
gfs
跨导,是指泄漏电极输出电流与栅源电压变化之比,是栅源电压控制泄漏电流的能力。
Qg
在驱动信号的作用下,栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是说,MOS管驱动电路从截止状态到完全导通状态所需的电荷是评估MOS管驱动电路驱动能力的主要参数。
Qgs
G总充电电量
Ear
重复雪崩击穿能量
Eas
重复雪崩击穿能量
BVdss
雪崩击穿电压
Idss
IDSS表示泄漏电流,栅极电压VGS=0、VDS一定值时漏源,mA级
Igss
IGSS表示栅极驱动漏电流,越小越好,对系统效率影响较小,uA级的电流
Qgd
栅漏充电(考虑到Miller效应)电量
Td(on)
延迟时间,从输入GS电压上升到 10%,开始到 VDS 下降到其幅值 90%。
Tr
上升时间,输出电压 VDS 时间从90%下降到10%。
Td(off)
关闭延迟时间,从输入GS电压下降到 90%到 VDS 上升到其关断电压时 10%的时间。
Tf
下降时间,输出电压VDS时间从10%上升到90%
Ciss
输入电容,Ciss=Cgd Cgs. 短接泄漏源,用交流信号测量的栅极与源极之间的电容为输入电容。Ciss由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。
Coss
输出电容,Coss=Cds Cgd. 用交流信号测量的泄漏极与源极之间的电容器短接栅源。Coss由漏源电容Cds并联网源电容。
Crss
反向传输电容,Crss=Cgc.在源极接地的情况下,测量漏极与栅极之间的电容相当于反向传输电容(Cgd越低越好)
四、mos管的作用
MOS管是指场效应管。它采用绝缘栅结构的晶体三极管,输入阻抗高,输出呈电阻态。
现在用途广泛,包括电视机高频头到开关电源,现在把场效应管和双极型的普通三极管复合在一起,广泛应用于大功率领域。
MOS集成电路:采用场效应管的集成电路,可有和TTL相同的逻辑功能,代表的有4000系列,现在已经采用场效电路。具有功耗低的特点。为提高TTL电路性能,74HC系列就用场效应管技术,大大降低了功耗,并扩宽了电压范围。
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